TSMC 주요 공정별 핵심기술, 경쟁사 비교

 

공정 노드	TSMC 주요 핵심 기술	경쟁사 주요 기술	TSMC 대비 강점 포인트
2nm (N2)	GAAFET, BSPDN, 고급 EUV, SRAM 수율 향상	인텔: RibbonFET (GAAFET 변형), 삼성: 2세대 GAAFET, MBCFET	조기 상용화, 수율 안정, BSPDN 기반 전력 관리 우수
3nm (N3)	FinFlex 아키텍처, 신형 FinFET, HPC·모바일 최적화	삼성: 3nm GAAFET, 인텔: 3nm RibbonFET	높은 생산 능력, 다중 PPA 최적화, 폭넓은 고객사 확보
4nm (N4)	N5 개선판, 고효율 FinFET, EUV 최적화	삼성: 4nm 유사 GAAFET 기술 적용	생산 안정성 및 수율 우수, 대규모 양산 경험
5nm (N5)	EUV, 고효율 FinFET, 모바일·HPC 균형	삼성: 5nm GAAFET, 인텔: 7nm 일부	조기 양산, 다수 고객사 확보, 수율 및 품질 우수
6nm (N6)	N7 기반 진화형 FinFET, 전력 효율과 성능 향상	삼성, 인텔 중간 공정	안정적 중간 공정 공급, 가격 대비 성능 경쟁력
7nm (N7)	FinFET, 고밀도 배선, HPC 최적화	인텔: 7nm RibbonFET 개발 중	대량 생산 경험, 광범위한 고객 지원
10nm (N10)	FinFET, 저전력 설계, 안정성 개선	삼성: 10nm 이상 공정
12nm (N12)	FinFET, 저전력, 중급 성능 균형	-	중견 공정 시장에서 가격·성능 밸런스 우위
16nm	HKMG, 저전력, 자동차·산업용 안정성	인텔 14nm, 삼성 14nm 공정	제조 안정성, 자동차 산업 인증과 양산 경험
28nm	HKMG, 멀티게이트 트랜지스터, 저전력 집중	삼성 28nm 공정	높은 웨이퍼 가용량, 넓은 글로벌 고객 네트워크
40nm 이상	전통적 planar 트랜지스터, 산업용/오래된 제품용	-	안정된 산업용 공급, 긴 수명