| 공정 노드 | TSMC 주요 핵심 기술 | 경쟁사 주요 기술 | TSMC 대비 강점 포인트 |
|---|---|---|---|
| 2nm (N2) | GAAFET, BSPDN, 고급 EUV, SRAM 수율 향상 | 인텔: RibbonFET (GAAFET 변형), 삼성: 2세대 GAAFET, MBCFET | 조기 상용화, 수율 안정, BSPDN 기반 전력 관리 우수 |
| 3nm (N3) | FinFlex 아키텍처, 신형 FinFET, HPC·모바일 최적화 | 삼성: 3nm GAAFET, 인텔: 3nm RibbonFET | 높은 생산 능력, 다중 PPA 최적화, 폭넓은 고객사 확보 |
| 4nm (N4) | N5 개선판, 고효율 FinFET, EUV 최적화 | 삼성: 4nm 유사 GAAFET 기술 적용 | 생산 안정성 및 수율 우수, 대규모 양산 경험 |
| 5nm (N5) | EUV, 고효율 FinFET, 모바일·HPC 균형 | 삼성: 5nm GAAFET, 인텔: 7nm 일부 | 조기 양산, 다수 고객사 확보, 수율 및 품질 우수 |
| 6nm (N6) | N7 기반 진화형 FinFET, 전력 효율과 성능 향상 | 삼성, 인텔 중간 공정 | 안정적 중간 공정 공급, 가격 대비 성능 경쟁력 |
| 7nm (N7) | FinFET, 고밀도 배선, HPC 최적화 | 인텔: 7nm RibbonFET 개발 중 | 대량 생산 경험, 광범위한 고객 지원 |
| 10nm (N10) | FinFET, 저전력 설계, 안정성 개선 | 삼성: 10nm 이상 공정 | |
| 12nm (N12) | FinFET, 저전력, 중급 성능 균형 | - | 중견 공정 시장에서 가격·성능 밸런스 우위 |
| 16nm | HKMG, 저전력, 자동차·산업용 안정성 | 인텔 14nm, 삼성 14nm 공정 | 제조 안정성, 자동차 산업 인증과 양산 경험 |
| 28nm | HKMG, 멀티게이트 트랜지스터, 저전력 집중 | 삼성 28nm 공정 | 높은 웨이퍼 가용량, 넓은 글로벌 고객 네트워크 |
| 40nm 이상 | 전통적 planar 트랜지스터, 산업용/오래된 제품용 | - | 안정된 산업용 공급, 긴 수명 |
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